文献

J-GLOBAL ID：200902014660876386   整理番号：89A0237217

SiGeの酸化の研究

Oxidation studies of SiGe.

著者 (5件)： LEGOUES F K (IBM T.J. Watson Research Center, NY, USA) ,  ROSENBERG R (IBM T.J. Watson Research Center, NY, USA) ,  NGUYEN T (IBM T.J. Watson Research Center, NY, USA) ,  HIMPSEL F (IBM T.J. Watson Research Center, NY, USA) ,  MEYERSON B S (IBM T.J. Watson Research Center, NY, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 65  号： 4  ページ： 1724-1728  発行年： 1989年02月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上に低温化学蒸着法でエピタクシー成長したSiGeアロ...

シソーラス用語： ケイ化物 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=89A0237217&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  不均一系触媒反応  (CB06100E)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiGe ,  酸化 ,  研究