高ドースのひ素注入後の結晶欠陥生成を抑制する方法

HAGMANN D; STEINER D; SCHELLINGER T

文献

J-GLOBAL ID：200902014777094494 整理番号：87A0241299

高ドースのひ素注入後の結晶欠陥生成を抑制する方法

A method to impede the formation of crystal defects after high dose arsenic implants.

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資料名：
巻： 133 号： 12 ページ： 2597-2600 発行年： 1986年12月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

(100)Si中に高ドースのAs注入(2×E16/cm<su...

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半導体の放射線による構造と物性の変化

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