低温エピタキシャル成長中のシリコン酸化の抑制

AGNELLO P D; SEDGWICK T O

文献

J-GLOBAL ID：200902015772803450 整理番号：92A0369310

低温エピタキシャル成長中のシリコン酸化の抑制

Inhibition of Silicon Oxidation during Low Temperature Epitaxial Growth.

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巻： 139 号： 4 ページ： 1140-1146 発行年： 1992年04月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

エピタキシャル育晶前にSi表面を痕跡O<sub>2</sub...

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固体デバイス製造技術一般 , 半導体薄膜

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