低温分子線エピタキシァルGaAsにおいて生じる異常Hall効果 ちゅう密なEL2状バンドにおけるホッピング

LOOK D C; WALTERS D C; MANASREH M O; SIZELOVE J R; STUTZ C E; EVANS K R

文献

J-GLOBAL ID：200902015847256086 整理番号：90A0862565

低温分子線エピタキシァルGaAsにおいて生じる異常Hall効果ちゅう密なEL2状バンドにおけるホッピング

Anomalous Hall-effect results in low-temperature molecular-beam-epitaxial GaAs: Hopping in a dense EL 2-like band.

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Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

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巻： 42 号： 6 ページ： 3578-3581 発行年： 1990年08月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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