超高密度LSI用の高性能CMOSサラウンディングゲートトランジスタ(SGT)

TAKATO H; SUNOUCHI K; OKABE N; NITAYAMA A; HIEDA K; HORIGUCHI F; MASUOKA F

文献

J-GLOBAL ID：200902015928411116 整理番号：89A0350894

超高密度LSI用の高性能CMOSサラウンディングゲートトランジスタ(SGT)

High performance CMOS surrounding gate transistor(SGT) for ultra high density LSIs.

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Technical Digest. International Electron Devices Meeting (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

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巻： 1988 ページ： 222-225 発行年： 1988年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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将来の超LSIに対応するために高集積化が必要でチャネル長のみ...

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