研究者
J-GLOBAL ID：200901017084065453
更新日: 2024年04月17日
舛岡 富士雄
マスオカ フジオ | Masuoka Fujio
所属機関・部署：
旧所属 東北大学 電気通信研究所 情報デバイス研究部門
旧所属 東北大学 電気通信研究所 情報デバイス研究部門 について
「旧所属 東北大学 電気通信研究所 情報デバイス研究部門」ですべてを検索
職名：
教授
ホームページURL (1件)：
http://www-user.riec.tohoku.ac.jp/~masuoka/index.html
研究分野 (1件)：
電子デバイス、電子機器
MISC (432件)：
Takuya Ohba, Hiroki Nakamura, Hiroshi Sakuraba, Fujio Masuoka. A novel tri-control gate surrounding gate transistor(TCG-SGT) nonvolatile memory cell for flash memory. SOLID-STATE ELECTRONICS. 2006. 50. 6. 924-928
Takuya Ohba, Hiroki Nakamura, Hiroshi Sakuraba, Fujio Masuoka. A novel tri-control gate surrounding gate transistor(TCG-SGT) nonvolatile memory cell for flash memory. SOLID-STATE ELECTRONICS. 2006. 50. 6. 924-928
Y Yamamoto, T Hidaka, H Nakamura, H Sakuraba, F Masuoka. Decananometer surrounding gate transistor (SGT) scalability by using an intrinsically-doped body and gate work function engineering. IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS. 2006. E89C. 4. 560-567
Y Yamamoto, T Hidaka, H Nakamura, H Sakuraba, F Masuoka. Decananometer surrounding gate transistor (SGT) scalability by using an intrinsically-doped body and gate work function engineering. IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS. 2006. E89C. 4. 560-567
Novel High Capacitive-Coupling Ratio Surrounding Gate Transistor (HICR-SGT) Flash Memory Cell with a Step-Like Silicon Pillar Structure. Proceesings of the 5th International Conference on Semiconductor Technology (ISTC2006). 2006. ,121-125
もっと見る
書籍 (15件)：
「メモリLSI」
1998
"フラッシュメモリの高集積化技術"
1997
"半導体メモリ"
1997
"Flash Memory Technology"
1996
"Flash Memory Technology"
1996
もっと見る
Works (2件)：
通信用超高速集積回路の研究
1996 - 1997
RESEARCH OF HIGH SPEED ULSI FOR FUTURE COMMUNICATION SYSTEM
1996 - 1997
学歴 (4件)：
- 1971 東北大学 工学研究科 電子工学
- 1971 東北大学
- 1966 東北大学 工学部 電子工学科
- 1966 東北大学
学位 (2件)：
工学博士 (東北大学)
工学修士 (東北大学)
所属学会 (3件)：
ECS(The Electrochemical Society, inc)
, IEEE
, 電子情報通信学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、
researchmap
の登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、
こちら
をご覧ください。
前のページに戻る
TOP
BOTTOM
