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J-GLOBAL ID：200902016147912019   整理番号：90A0881756

Ge:Cu薄膜トランジスタ中のゲルマニウムの電気特性とその再結晶化プロセスに及ぼす銅の低ドーピング濃度の影響

The influence of low copper doping concentrations on the recrystallization process in and the electrical properties of germanium in Ge:Cu thin film transistors.

著者 (6件)： DOUTRELOIGNE J (Ghent State Univ., Ghent, BEL) ,  DE BAETS J (Ghent State Univ., Ghent, BEL) ,  DE RYCKE I (Ghent State Univ., Ghent, BEL) ,  DE SMET H (Ghent State Univ., Ghent, BEL) ,  VAN CALSTER A (Ghent State Univ., Ghent, BEL) ,  VANFLETEREN J (Ghent State Univ., Ghent, BEL)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 189  号： 2  ページ： 235-245  発行年： 1990年08月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuをドープしたGe(Ge:Cu)薄膜の電気的性質をCu濃度...

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (9件)： Ge ,  Cu ,  薄膜トランジスタ ,  ゲルマニウム ,  電気特性 ,  再結晶化 ,  プロセス ,  銅 ,  ドーピング