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J-GLOBAL ID：200902016747882822   整理番号：90A0605569

有機金属気相エピタクシーによる(100)GaAs上のCdTe膜の初期成長機構のX線光電子分光法およびAuger電子分光法による分析

X-ray photoelectron spectroscopy and Auger electron spectroscopy analyses of the initial growth mechanism of CdTe layers on (100) GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy.

著者 (6件)： EKAWA M (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN) ,  YASUDA K (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN) ,  SONE S (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN) ,  SUGIURA Y (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN) ,  SAJI M (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN) ,  TANAKA A (Sumitomo Metal Mining Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 67  号： 11  ページ： 6865-6870  発行年： 1990年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題のCdTe膜の初期成長機構および成長の結晶方位選択を研究...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属気相エピタクシー ,  GaAs ,  CdTe ,  初期成長 ,  X線光電子分光法 ,  Auger電子分光法 ,  分析