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J-GLOBAL ID：200902018973227635   整理番号：88A0270279

1,2および4μm幅の多層磁気抵抗メモリセルのしきい値特性

Threshold properties of 1, 2 and 4μm multilayer magneto-resistive memory cells.

著者 (5件)： POHM A V (Iowa State Univ., IA, USA) ,  DAUGHTON J M (Honeywell Corp., MN, USA) ,  COMSTOCK C S (Iowa State Univ., IA, USA) ,  YOO H Y (Iowa State Univ., IA, USA) ,  HUR J (Iowa State Univ., IA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 23  号： 5 Pt.1  ページ： 2575-2577  発行年： 1987年09月 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気抵抗効果を用いたメモリを検討した。この素子は2個の非破壊...

シソーラス用語： 磁気抵抗素子 ,...

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分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多層 ,  磁気抵抗メモリ ,  セル ,  しきい値