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J-GLOBAL ID：200902019328225721   整理番号：92A0332109

イオン注入の損傷発生によるGaAs接合の降伏電圧特性の改良

Improvement of breakdown voltage characteristics of GaAs junction by damage-creation of ion-implantation.

著者 (4件)： SHIMAMOTO Y (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  TANAKA T (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  ITAKURA K (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN) ,  UEDA D (Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
資料名： Institute of Physics Conference Series  (Institute of Physics Conference Series)
号： 120  ページ： 199-202  発行年： 1992年 
JST資料番号： E0403B  ISSN： 0305-2346  CODEN： IPHSAC  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 接合エッジの周りのイオン注入の損傷発生とそのアニーリングを用...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  損傷 ,  GaAs ,  降伏 ,  電圧特性