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J-GLOBAL ID：200902020257944053   整理番号：85A0422582

GaAs/AlGaAs多重量子井戸と変調ドープヘテロ接合のバンド間遷移のフォトリフレクタンスによる評価

Photoreflectance characterization of interband transitions in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells and modulation-doped heterojunctions.

著者 (5件)： GLEMBOCKI O J (Naval Research Lab., Washington, DC) ,  SHANABROOK B V (Naval Research Lab., Washington, DC) ,  BOTTKA N (Naval Research Lab., Washington, DC) ,  BEARD W T (Naval Research Lab., Washington, DC) ,  COMAS J (Naval Research Lab., Washington, DC)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 46  号： 10  ページ： 970-972  発行年： 1985年05月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の研究をした。多重量子井戸(MQW)のスペクトルは重い正...

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,...
準シソーラス用語： MQW

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  AlGaAs ,  多重量子井戸 ,  変調ドープ ,  ヘテロ接合 ,  バンド間遷移 ,  フォトリフレクタンス ,  評価