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J-GLOBAL ID：200902020809380753   整理番号：82A0469739

イオン注入したシリコンのせん光ランプによる焼なまし

Flash lamp annealing of ion implanted silicon.

著者 (5件)： HEINIG K H (Central Inst. Nuclear Research, GDR) ,  HOHMUTH K (Central Inst. Nuclear Research, GDR) ,  KLABES R (Central Inst. Nuclear Research, GDR) ,  VOELSKOW M (Central Inst. Nuclear Research, GDR) ,  WOITTENNEK H (Central Inst. Nuclear Research, GDR)
資料名： Radiation Effects  (Radiation Effects)
巻： 63  号： 1/4  ページ： 115-123  発行年： 1982年 
JST資料番号： A0224A  ISSN： 0033-7579  CODEN： RAEFBL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の可能性を理論と実験の両面から検討。温度分布の計算によれ...

シソーラス用語： イオン注入 ,...

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分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： イオン注入 ,  シリコン ,  せん光ランプ ,  焼なまし