VLSI物質  埋め込み型酸化物SOIとSOSの比較

HAMDI A H; McDANIEL F D; PINIZZOTTO R F; MATTESON S; LAM H W; MALHI S D S

文献

J-GLOBAL ID：200902020986512074 整理番号：83A0345484

VLSI物質埋め込み型酸化物SOIとSOSの比較

VLSI materials: A comparison between buried oxide SOI and SOS.

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資料名：
巻： 30 号： 2 ページ： 1722-1725 発行年： 1983年04月
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Siに高線量酸素イオンを注入して厚さ0.48μmの埋め込み型...

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , 固体デバイス製造技術一般

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