GaとNをドープした6H-SiCの高温ルミネセンス

文献

J-GLOBAL ID：200902021492638535 整理番号：90A0493940

High-temperature luminescence in 6H-SiC doped with Ga and N.

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著者 (6件)：

IVANOV A I

IVANOV A I について

(A.F. Ioffe Physicotechnical Inst., Academy of Sciences of the USSR, Leningrad)