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J-GLOBAL ID：200902021830918875   整理番号：89A0587052

MBE成長AlGaAs/GaAs量子井戸における成長速度,界面品質,不純物混入のフラックス比依存性

Flux ratio dependence of growth rate, interface quality, and impurity incorporation in MBE grown AlGaAs/GaAs quantum wells.

著者 (5件)： KOEHRBRUECK R (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  MUNNIX S (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  BIMBERG D (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  LARKINS E C (Stanford Univ., CA, USA) ,  HARRIS J S JR (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： Institute of Physics Conference Series  (Institute of Physics Conference Series)
号： 96  ページ： 65-68  発行年： 1989年 
JST資料番号： E0403B  ISSN： 0305-2346  CODEN： IPHSAC  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記量子井戸のMBE成長プロセスに対するV-III族比の影響...

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (9件)： MBE成長 ,  AlGaAs ,  GaAs ,  量子井戸 ,  成長速度 ,  界面 ,  不純物混入 ,  フラックス比 ,  依存性