多量にドープした高補償GaAs:Siの非弾性光散乱

KAMIJOH T; HASHIMOTO A; TAKANO H; SAKUTA M

文献

J-GLOBAL ID：200902023435143948 整理番号：86A0505248

多量にドープした高補償GaAs:Siの非弾性光散乱

Inelastic light scattering from heavily doped and highly compensated GaAs: Si.

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巻： 59 号： 7 ページ： 2382-2386 発行年： 1986年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

一定不純物濃度1.1×10<sup>19</sup>cm<s...

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無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル

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