反応性マグネトロンスパッタ法で作製したZr-N膜の性質に対する窒素圧とRFパワーの効果およびサーミスタへの応用

文献

J-GLOBAL ID：200902024556789086 整理番号：93A0165292

Effects of Nitrogen Pressure and RF Power on the Properties of Reactive Magnetron Sputtered Zr-N Films and an Application to a Thermistor.

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巻： 31 号： 12A ページ： 4002-4009 発行年： 1992年12月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

反応性RFマグネトロンスパッタでZr-N薄膜を作製し,組成,...

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半導体薄膜 , 半導体結晶の電気伝導 , 熱電デバイス

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