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J-GLOBAL ID：200902024719724610   整理番号：87A0272430

熱安定化したイオン注入により非晶化したシリコンの光学的性質

Optical properties of thermally stabilized ion implantation amorphized silicon.

著者 (9件)： FRIED M (Central Research Inst. Physics, Budapest, HUN) ,  LOHNER T (Central Research Inst. Physics, Budapest, HUN) ,  J<span style=text-decoration:overline>A ́</span>ROLI E (Central Research Inst. Physics, Budapest, HUN) ,  V<span style=text-decoration:overline>I ́</span>ZKELETHY G (Central Research Inst. Physics, Budapest, HUN) ,  K<span style=text-decoration:overline>O ́</span>TAI E (Central Research Inst. Physics, Budapest, HUN) ,  B<span style=text-decoration:overline>I ́</span>R<span style=text-decoration:overline>O ́</span> A (Tungsram Research Lab., Budapest, HUN) ,  <span style=text-decoration:overline>A ́</span>D<span style=text-decoration:overline>A ́</span>M J (Tungsram Research Lab., Budapest, HUN) ,  SOMOGYI M (Inst. Technical Physics, Budapest, HUN) ,  KERKOW H (Humboldt Univ. Berlin, DDR)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 19/20  号： 2  ページ： 577-581  発行年： 1987年02月 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固相エピタクシャル再成長過程中に,熱的安定状態で,イオン注入...

シソーラス用語： エピタクシー ,...

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分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱安定化 ,  イオン注入 ,  シリコン ,  光学的性質