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J-GLOBAL ID：200902025027851767   整理番号：89A0361028

微斜面上のGaAs-AlGaAs単一量子井戸のMBE成長中の表面拡散

Surface diffusion during MBE growth of GaAs-AlGaAs single quantum wells on vicinal surfaces.

著者 (6件)： KANAMOTO K (Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN) ,  FUJIWARA K (Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN) ,  TOKUDA Y (Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN) ,  TSUKADA N (Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN) ,  ISHII M (Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN) ,  NAKAYAMA T (Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 95  号： 1/4  ページ： 273-276  発行年： 1989年02月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中断のないMBE,2分間の中断を含むMBE,移動促進エピタク...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： LQC構造 ,...

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 微斜面 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  単一量子井戸 ,  MBE成長 ,  表面拡散