隣接Si(111)の化学エッチング 表面構造と水素末端のエッチング液のpHへの依存性

JAKOB P; CHABAL Y J

文献

J-GLOBAL ID：200902025166397213 整理番号：91A0767623

隣接Si(111)の化学エッチング表面構造と水素末端のエッチング液のpHへの依存性

Chemical etching of vicinal Si(111): Dependence of the surface structure and the hydrogen termination on the pH of the etching solutions.

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巻： 95 号： 4 ページ： 2897-2909 発行年： 1991年08月15日
JST資料番号： C0275A ISSN： 0021-9606 CODEN： JCPSA6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

赤外分光により,ステップのあるSi(111)9°表面のエッチ...

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その他の無触媒反応 , 半導体の表面構造 , 無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル , 無機化合物の物理分析

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隣接Si(111)の化学エッチング 表面構造と水素末端のエッチング液のpHへの依存性

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