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J-GLOBAL ID：200902025647837764   整理番号：84A0102060

分子ビームエピタクシー成長界面の水素による変質の可能性

On the possibility of MBE growth interface modification by hydrogen.
著者 (2件)：
BACHRACH R Z

BACHRACH R Z について

(Xerox, California)

Xerox, California について

, 
BRINGANS R D

BRINGANS R D について

(Stanford Synchrotron Radiation Lab., California)

Stanford Synchrotron Radiation Lab., California について


資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures について


巻： 1  号： 2  ページ： 142-145  発行年： 1983年04月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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結晶成長のふん囲気として通常水素が用いられ,水素存在下の成長...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分子ビーム

分子ビーム について

,...
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分類 (2件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  固-気界面一般 
(CB12041H)

固-気界面一般 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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分子ビームエピタクシー成長

分子ビームエピタクシー成長 について

, 
界面

界面 について

, 
水素

水素 について

, 
変質

変質 について

, 
可能性

可能性 について


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