多孔性シリコン形成:量子細線効果

LEHMANN V; GOESELE U

文献

J-GLOBAL ID：200902026974300150 整理番号：91A0310844

多孔性シリコン形成:量子細線効果

Porous silicon formation: A quantum wire effect.

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巻： 58 号： 8 ページ： 856-858 発行年： 1991年02月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ふっ化水素酸電解液中の非縮退p型シリコン電極に成長する多孔性...

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半導体-半導体接触【’81~’92】 , 電極過程

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