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J-GLOBAL ID：200902028616141663   整理番号：88A0261801

多結晶シリコン上の10nm以下のSiO₂/Si₃N₄多層膜の信頼性

Reliability of nano-meter thick multi-layer dielectric films on poly-crystalline silicon.

著者 (6件)： 大路譲 (日立 中研) ,  吉田育生 (日立 中研) ,  兼子宏子 (日立 デバイス開セ) ,  笠原修 (日立 デバイス開セ) ,  矢木邦博 (日立 中研) ,  向喜一郎 (日立 中研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 87  号： 381  ページ： 43-47(SDM87-180)  発行年： 1988年02月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 多結晶Si表面の酸化抑制とSi₃N<s...

シソーラス用語： 超LSI ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多結晶シリコン ,  SiO2 ,  Si3N4 ,  多層膜