シリコンにおける表面レリーフの速い直接書込みのためのレーザ化学法

EHRLICH D J; OSGOOD R M JR; DEUTSCH T F

文献

J-GLOBAL ID：200902028969215920 整理番号：82A0044904

シリコンにおける表面レリーフの速い直接書込みのためのレーザ化学法

Laser chemical technique for rapid direct writing of surface relief in silicon.

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巻： 38 号： 12 ページ： 1018-1020 発行年： 1981年06月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

微視的な化学反応を制御するためにアルゴンイオンレーザを用いて...

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固体デバイス製造技術一般 , レーザ照射・損傷

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