弱い吸収の半導体薄膜の厚み,光学定数および緩和時間の決定の新方法

KUSHEV D B; ZHELEVA N N; DEMAKOPOULOU Y; SIAPKAS D

文献

J-GLOBAL ID：200902029264849756 整理番号：87A0291145

弱い吸収の半導体薄膜の厚み,光学定数および緩和時間の決定の新方法

A new method for the determination of the thickness, the optical constants and the relaxation time of weakly absorbing semiconducting thin films.

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資料名：
巻： 26 号： 6 ページ： 385-393 発行年： 1986年11月
JST資料番号： H0184A ISSN： 0020-0891 CODEN： INFPAD 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

標記半導体薄膜の厚みd,光学定数nおよびk,ならびに自由担体...

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光物性一般 , 半導体薄膜

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