n型シリコンにおける電気化学的エッチトレンチの生成機構と性質

LEHMANN V; FOELL H

文献

J-GLOBAL ID：200902029837372577 整理番号：90A0287532

n型シリコンにおける電気化学的エッチトレンチの生成機構と性質

Formation mechanism and properties of electrochemically etched trenches in n-type silicon.

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巻： 137 号： 2 ページ： 653-659 発行年： 1990年02月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

HF水溶液中でアノード分極下の,n-Siにおける自発的トレン...

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固体デバイス製造技術一般

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