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J-GLOBAL ID：200902030917174782   整理番号：89A0470521

位相蓄積型光ディスク記憶用TeGeSnAu合金

TeGeSnAu alloys for phase change type optical disk memories.

著者 (5件)： OHNO E (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi, JPN) ,  YAMADA N (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi, JPN) ,  KURUMIZAWA T (Matsushita Technoresearch Inc., Moriguchi, JPN) ,  KIMURA K (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi, JPN) ,  TAKAO M (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 28  号： 7  ページ： 1235-1240  発行年： 1989年07月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 書き換えのできる光ディスク材料用の標記組成の薄膜を調べた。T...

シソーラス用語： 光ディスク ,...

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分類 (2件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 位相 ,  蓄積 ,  光ディスク記憶 ,  合金