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J-GLOBAL ID：200902031961611703   整理番号：89A0142329

水素化非晶質シリコンにおけるドリフト実験の位置およびテイル状態行列シミュレーションから得た電子輸送パラメータとテイル状態分布

Electron-transport parameters and tail-state distribution in hydrogenated amorphous silicon obtained from position and tail-state matrix simulation of drift experiments.

著者 (1件)： VANDERHAGHEN R (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 38  号： 15  ページ： 10755-10775  発行年： 1988年11月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質半導体の過渡的電荷輸送を予測する新しい行列シミュレーシ...

シソーラス用語： ドリフト ,...

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分類 (2件)： 非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G) ,  非晶質の電子構造一般  (BM02041I)

タイトルに関連する用語 (10件)： 水素化 ,  非晶質シリコン ,  ドリフト ,  実験 ,  テイル ,  行列 ,  シミュレーション ,  電子輸送 ,  パラメータ ,  状態分布