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J-GLOBAL ID：200902032162242521   整理番号：89A0155952

超高真空イオンビームスパッタリング成膜法によるシリコン基板面へのイットリア安定化ジルコニア膜のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of yttria-stabilized zirconia films on silicon by ultrahigh vacuum ion beam sputter deposition.

著者 (7件)： LEGAGNEUX P (Thomson-CSF, Orsay, FRA) ,  GARRY G (Thomson-CSF, Orsay, FRA) ,  DIEUMEGARD D (Thomson-CSF, Orsay, FRA) ,  SCHWEBEL C (Univ. Paris XI, Orsay, FRA) ,  PELLET C (Univ. Paris XI, Orsay, FRA) ,  GAUTHERIN G (Univ. Paris XI, Orsay, FRA) ,  SIEJKA J (Univ. Paris VII, Paris, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 53  号： 16  ページ： 1506-1508  発行年： 1988年10月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)基板面に標記YSZ膜を作り,膜の性質のその場測...

シソーラス用語： 超高真空 ,...
準シソーラス用語： イットリア安定化ジルコニア ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高真空 ,  イオンビームスパッタリング ,  成膜 ,  シリコン基板 ,  イットリア安定化ジルコニア ,  エピタキシャル成長