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J-GLOBAL ID：200902032550147735   整理番号：89A0271214

シリコンウェーハ表面の金属不純物の定量

Determination of metallic impurities on the surface of silicon wafers.

著者 (5件)： 谷添泰子 (九州電子金属) ,  角田成夫 (九州電子金属) ,  佐野正和 (九州電子金属) ,  藤野允克 (九州電子金属) ,  白岩俊男 (大阪チタニウム製造)
資料名： 分析化学
巻： 38  号： 4  ページ： 177-181  発行年： 1989年04月 
JST資料番号： F0008A  ISSN： 0525-1931  CODEN： BNSKAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 15分間,HF蒸気によりシリコンウェーハ表面に存在する自然酸...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： メタル炉原子吸光分析

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分類 (1件)： 無機化合物の物理分析  (CC03024P)

引用文献 (6件)：

• 1) A. Shimazaki, H. Hiratsuka, Y. Matsushita, S. Yoshii : “Chemical Analysis of Ultratrace Impurities in SiO₂ Films”, Extended Abstracts of the 16th (1984 International) Conference on Solid State Devices and Materials. Kobe. p. 281-284.
• 2) 下野次男 : 日本分析化学会第36年会講演要旨集p.1058(1987).
• 3) A. Corradi, M. Domenici, A. Guaglio : J Crystal Growth 89., pp. 39-42, (1988).
• 4) P. Eichinger : 5th International Symposium on Semiconductor Processing, p. 40, ASTM Committee F-1 on Materials Institute.
• 5) M. Hourai. T. Naridomi, Y. Oka, K. Murakami, S. Sumita, N. Fujino, T. Shiraiwa : Jpn. J. Appl.Phys.Lett.投稿中.

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  ウェーハ表面 ,  金属不純物 ,  定量