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J-GLOBAL ID：200902032956322147   整理番号：86A0321394

CMOS ICのゲート酸化膜の短絡現象の電気的特性と試験留意点

Electrical characteristics and testing considerations for gate oxide shorts in CMOS ICs.
著者 (2件)：
HAWKINS C F

HAWKINS C F について

(Univ. New Mexico)

Univ. New Mexico について

, 
SODEN J M

SODEN J M について

(Sandia National Lab., NM)

Sandia National Lab., NM について


資料名：
Proceedings. International Test Conference  (Proceedings. International Test Conference)

Proceedings. International Test Conference について


巻： 1985  ページ： 544-555  発行年： 1985年 
JST資料番号： E0211B  ISSN： 1089-3539  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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CMOS ICのゲート酸化膜に起因する短絡故障の解析手法を確...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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MOS集積回路

MOS集積回路 について

,...
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分類 (2件)：
分類
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固体デバイス計測・試験・信頼性 
(NC03040G)

固体デバイス計測・試験・信頼性 について

,  集積回路一般 
(NC03161C)

集積回路一般 について

タイトルに関連する用語 (7件)：
タイトルに関連する用語
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CMOS

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IC

IC について

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ゲート酸化膜

ゲート酸化膜 について

, 
短絡現象

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電気的特性

電気的特性 について

, 
試験

試験 について

, 
留意

留意 について


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