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J-GLOBAL ID：200902033018057325   整理番号：93A0380162

強誘電体メモリ応用のためのNbドープPb(Zr,Ti)O₃薄膜のゾルゲル処理

Sol-Gel Processing of Nb-Doped Pb(Zr,Ti)O₃ Thin Films for Ferroelectric Memory Applications.

著者 (2件)： RYDER D F JR (Tufts Univ., MA) ,  RAMAN N K (Tufts Univ., MA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 21  号： 10  ページ： 971-975  発行年： 1992年10月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PZT強誘電体で0から4モルの範囲でNbドープを検討した。4...

シソーラス用語： ニオブ ,...
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： 強誘電体メモリ ,  応用 ,  Nb ,  ドープ ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  薄膜 ,  ゾルゲル処理