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J-GLOBAL ID：200902033145763727   整理番号：86A0267280

イオン後方散乱とチャネリングおよび構造解析によるアンチモンを注入しレーザ焼なまししたSiの研究

Investigation of laser-annealed antimony implanted si by ion backscattering and channeling and structure analysis.

著者 (5件)： BHATTACHARYA P K (Bhabha Atomic Research Centre, India) ,  KANSARA M J (Bhabha Atomic Research Centre, India) ,  NATHAN T P S (Bhabha Atomic Research Centre, India) ,  SINGH P (Bhabha Atomic Research Centre, India) ,  WAGH A G (Bhabha Atomic Research Centre, India)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 39  号： 2  ページ： 147-153  発行年： 1986年02月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Rutherford後方散乱,イオンチャネリング,走査電子顕...

シソーラス用語： イオン散乱 ,...

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： チャネリング ,  構造解析 ,  アンチモン ,  注入 ,  レーザ焼なまし ,  Si ,  研究