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J-GLOBAL ID：200902033160815717   整理番号：89A0002788

強誘電体記憶セルを持つ実験的512-ビット不揮発性メモリ

An experimental 512-bit nonvolatile memory with ferroelectric storage cell.

著者 (2件)： EVANS J T (Krysalis Corp., NM, USA) ,  WOMACK R (Krysalis Corp., NM, USA)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 23  号： 5  ページ： 1171-1175  発行年： 1988年10月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フェロエレクトリック-キャパシタ記憶セルに基づく実験的512...

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,...

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分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電体 ,  記憶セル ,  実験 ,  ビット ,  不揮発性メモリ