将来のスタティックRAMのための,新しくスケールダウンされた酸素を打ち込んだポリシリコン抵抗

文献

J-GLOBAL ID：200902033411372038 整理番号：87A0304942

A novel scaled down oxygen implanted polysilicon resistor for future static RAMs.

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資料名：
巻： 1986 ページ： 296-299 発行年： 1986年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ひ素がポリシリコンの内部接続層を形成するように部分的にドープ...

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記憶装置 , 半導体の格子欠陥 , 半導体集積回路

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