1000°CにおいてSiO<sub>2</sub>薄膜を通す酸素輸送の同位体トレーサを用いた二次イオン質量分析法による研究

HAN C J; HELMS C R

文献

J-GLOBAL ID：200902033556150831 整理番号：86A0349406

1000°CにおいてSiO₂薄膜を通す酸素輸送の同位体トレーサを用いた二次イオン質量分析法による研究

Isotopic tracer studies of oxygen transport through SiO₂ films at 1000°C using secondary ion mass spectrometry.

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巻： 59 号： 5 ページ： 1767-1769 発行年： 1986年03月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

純粋な¹⁶O₂お...

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酸化物薄膜 , 理工学への利用

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1000°CにおいてSiO2薄膜を通す酸素輸送の同位体トレーサを用いた二次イオン質量分析法による研究

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