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J-GLOBAL ID：200902033604333544   整理番号：87A0064740

プラズマ促進化学蒸着による高品質二酸化けい素の低温堆積

Low-temperature deposition of high-quality silicon dioxide by plasma-enhanced chemical vapor deposition.

著者 (2件)： BATEY J (IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA) ,  TIERNEY E (IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 60  号： 9  ページ： 3136-3145  発行年： 1986年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極めて低い温度の(~350°C)Si基板に標記方法で高品質の...

シソーラス用語： プラズマCVD ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ促進化学蒸着 ,  高品質 ,  酸化けい素 ,  低温 ,  堆積