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J-GLOBAL ID：200902033988982390   整理番号：88A0563774

0.1μmゲート長レベルのNMOS素子の高相互コンダクタンスと速度オーバーシュート

High transconductance and velocity overshoot in NMOS devices at the 0.1-μm gate-length level.

著者 (5件)： SAI-HALASZ G A (IBM Research Division, NY, USA) ,  WORDEMAN M R (IBM Research Division, NY, USA) ,  KERN D P (IBM Research Division, NY, USA) ,  RISHTON S (IBM Research Division, NY, USA) ,  GANIN E (IBM Research Division, NY, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 9  号： 9  ページ： 464-466  発行年： 1988年09月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セルフアラインNMOS素子のゲート長を0.07μmまで短縮し...

シソーラス用語： NMOS構造 ,...
準シソーラス用語： 担体

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲート長 ,  相互コンダクタンス ,  シュート