文献

J-GLOBAL ID：200902033997205836   整理番号：90A0238659

オリゴチオフェンを基礎にしたFET 動作の仕方と改良法

The oligothiophene-based field-effect transistor: How it works and how to improve it.

著者 (4件)： HOROWITZ G (Lab. Materiaux Moleculaires, CNRS, Thiais, FRA) ,  PENG X (Lab. Materiaux Moleculaires, CNRS, Thiais, FRA) ,  FICHOU D (Lab. Materiaux Moleculaires, CNRS, Thiais, FRA) ,  GARNIER F (Lab. Materiaux Moleculaires, CNRS, Thiais, FRA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 67  号： 1  ページ： 528-532  発行年： 1990年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機半導体MISFETは蓄積層チャネル形成で増幅を行うが,そ...

シソーラス用語： オリゴマ ,...
準シソーラス用語： チオフェン

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=90A0238659&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： オリゴチオフェン ,  基礎 ,  FET ,  改良法