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J-GLOBAL ID：200902034118022720   整理番号：84A0246409

水素含有プラズマで生成するシリコンの損傷

Silicon damage caused by hydrogen containing plasmas.

著者 (5件)： FRIESER R G (IBM, New York) ,  MONTILLO F J (IBM, New York) ,  ZINGERMAN N B (IBM, New York) ,  CHU W K (IBM, New York) ,  MADER S R (IBM, New York)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 130  号： 11  ページ： 2237-2241  発行年： 1983年11月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素をいれたガスプラズマ中でシリコンを反応イオンエッチングし...

シソーラス用語： 水素 ,...
準シソーラス用語： 反応性イオンエッチング ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素 ,  プラズマ ,  シリコン ,  損傷