窒化シリコンのプラズマ生成法と評価

BLAAUW C

文献

J-GLOBAL ID：200902037262600842 整理番号：85A0082155

窒化シリコンのプラズマ生成法と評価

Preparation and characterization of plasma-deposited silicon nitride.

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 131 号： 5 ページ： 1114-1118 発行年： 1984年05月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si基板上にSiH<sub>4</sub>,NH<sub>3...

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