ECRプラズマCVD法により作製した窒化けい素膜における水素濃度と結合構造

文献

J-GLOBAL ID：200902037345353650 整理番号：88A0292281

Hydrogen concentration and bond configurations in silicon nitride films prepared by ECR plasma CVD method.

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HIRAO T

HIRAO T について

(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Moriguchi, JPN)