単結晶β-SiC半導体薄膜のエピタキシャル成長,ドーピングおよびデバイス開発

文献

J-GLOBAL ID：200902037405468843 整理番号：90A0283079

Epitaxial growth and doping of and device development in monocrystalline β-SiC semiconductor thin films.

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 181 ページ： 1-15 発行年： 1989年12月10日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

高純度の標記薄膜をSi(100)およびα-SiC(0001)...

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金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】 , 半導体薄膜 , トランジスタ

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