III-V族化合物半導体のレーザー誘起エッチング

文献

J-GLOBAL ID：200902038553485699 整理番号：86A0424960

Laser induced etching of III-V compound semiconductors.

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資料名：
巻： 55 号： 8 ページ： 805-810 発行年： 1986年08月
JST資料番号： F0252A ISSN： 0369-8009 CODEN： OYBSA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

主としてGaAsで使われるIII-V族化合物半導体に対するレ...

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試料技術 , 固体デバイス製造技術一般

引用文献 (30件)：

1) D. J. Ehrlich, R. M. Osgood, Jr. and T. F. Deutsch: Appl. Phys. Lett. 38 (1981) 1018.
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