レーザによるシリコンの酸化

文献

J-GLOBAL ID：200902039072060020 整理番号：82A0138539

Laser-induced oxidation of silicon.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=82A0138539&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=82A0138539&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0899A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 83 号： 4 ページ： L173-L176 発行年： 1981年09月25日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

アルゴンイオンレーザやCO₂レーザを用...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=82A0138539&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0899A") }}

酸化物薄膜 , レーザ照射・損傷 , 固体デバイス製造技術一般 , その他の無触媒反応

, ,

前のページに戻る