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J-GLOBAL ID：200902039187414291   整理番号：84A0014528

ほう素の蒸着と窒素イオンビームの衝撃による立方晶型窒化ほう素膜の形成

Formation of cubic boron nitride films by boron evaporation and nitrogen ion beam bombardment.
著者 (2件)：
SATOU M

SATOU M について

(Government Industrial Research Inst.,Osaka)

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, 
FUJIMOTO F

FUJIMOTO F について

(Univ. Tokyo)

Univ. Tokyo について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters について


巻： 22  号： 3  ページ： L171-L172  発行年： 1983年03月 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ほう素の電子ビーム蒸着と30keVのN<sub>2</sub...
シソーラス用語：
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真空蒸着

真空蒸着 について

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反応性イオンビーム蒸着

反応性イオンビーム蒸着 について


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分類 (1件)：
分類
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その他の無機化合物の薄膜 
(BK14060A)

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タイトルに関連する用語
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ほう素

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蒸着

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窒素イオン

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ビーム

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衝撃

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立方晶

立方晶 について

, 
窒化ほう素

窒化ほう素 について


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