文献

J-GLOBAL ID：200902039381949511   整理番号：89A0396254

n型及びp型MOSFETにおける反転層中の移動度の普遍性

On the universality of inversion-layer mobility in n- and p-channel MOSFET’s.

著者 (3件)： TAKAGI S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  IWASE M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TORIUMI A (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1988  ページ： 398-401  発行年： 1988年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板不純物密度が10¹⁵~10<sup...

シソーラス用語： MOSFET ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=89A0396254&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0829B") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： p型MOSFET ,  反転層 ,  移動度 ,  普遍性