文献
J-GLOBAL ID：200902041585134856
整理番号：87A0187797
広がり抵抗(spreading resistance)及び二次イオン質量分析によるほう素及びひ素の拡散分布像測定
Diffusion profiles of boron and arsenic measured by spreading resistance and secondary ion mass spectrometry.
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著者 (2件)：
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資料名：
巻：
21st
ページ：
97-98
発行年：
1986年
JST資料番号：
E0776B
ISSN：
0278-1727
資料種別：
会議録 (C)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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As及びBF
2をイオン注入したシリコン...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (3件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
無機物質中の元素の各種分析
, R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器
, 半導体集積回路
タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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