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J-GLOBAL ID：200902041896071610   整理番号：92A0142781

スピンオン源からの不純物の急速熱拡散によるシリコン上への浅い接合の形成

Shallow-Junction Formation on Silicon by Rapid Thermal Diffusion Impurities from a Spin-on Source.

著者 (4件)： USAMI A (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN) ,  ANDO M (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN) ,  TSUNEKANE M (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN) ,  WADA T (Nagoya Inst. Technology, Nagoya, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 39  号： 1  ページ： 105-110  発行年： 1992年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： タングステンハロゲンランプを用いたスピンオン源からシリコンウ...

シソーラス用語： 急速加熱 ,...

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分類 (2件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不純物 ,  熱拡散 ,  シリコン ,  浅い接合