Czochralski技術による結晶成長時のけい素融液中の動的酸素平衡

CARLBERG T; KING T B; WITT A F

文献

J-GLOBAL ID：200902042357305345 整理番号：82A0223571

Czochralski技術による結晶成長時のけい素融液中の動的酸素平衡

Dynamic oxygen equilibrium in silicon melts during crystal growth by the Czochralski technique.

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巻： 129 号： 1 ページ： 189-193 発行年： 1982年01月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Czochralski成長時のSi融液での動的酸素濃度モデル...

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半導体の結晶成長 , 抽出平衡,分配平衡

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